半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
创业项目背景图片
该类目坐落于长江三角洲型省份某国家级实验室半导体行业产业化苑区,公司其主要生產8屏幕尺寸和12屏幕尺寸晶圆,日产尼桑量到达2万片。跟随着产量完善,原本有的工业废水加工治理系统性已时未满足了绿色需要,继续购买专用汽车发展改建。楼盘总创业约1200万元,设计构思加工治理作用为300吨/日,于202在一年修建投用。
废水处理工艺组分及来历
该品牌晶圆划区繁琐流程所产生的化工废水一般收录接下来因素:
激光切整个过程中在使用的磨细液留下物,主要有效成分为二氧化的硅颗粒状、外层抗逆性剂和巧妙增加剂
晶圆外壁除垢引起的含氟电镀废水,氟正离子氨水浓度在80-120mg/L
少许天价属铁离子如铜、镍等,收入于分割生产工具偏磨
有机会萃取剂无残留,包涵异丙醇、二甲苯等
pH值起伏极大,常见在4-10两者之间
处置制作工艺程序
面向化工废水特征,装修设计进行"有机化学预备治理 +血生化治理 +深层治理 "的组合起来技术:
调准池
:义均地表水用水量,设为pH上线监测器和自己加量系统
混凝土积淀
:添加PAC和PAM,快速清理自动隐藏物和胶体溶液物资
气浮单无
:采用了溶气气浮制作工艺进那步清掉狗狗细小颗粒剂和一些氮化合物物
生物化学外理
:所采用MBR膜生物体反响器,活性污泥渗透压达到在8000-10000mg/L
广度外理
:吸性炭吸+反渗透装置法工艺设备,确保安全冒水达到
工业废水除理
:板框厢式压滤机烘干,飞灰含水量率降为60%下类
正确处理作用
平台平稳作业后,喷水地表水截然达到《电子元器件重工业水弄脏物减排标准》(GB39731-2020)独特减排规定值符合要求:
COD<30mg/L
氟阴离子<5mg/L
悬浮物物<10mg/L
天价属某项技术指标均高于规定值
新项目第二年可变少环境破坏物排放出量约COD 32吨、氟化物8.5吨,循环水率满足75%大于,为客户合理利用电费性支出约115万元/年。